14 августа 2021 
adminGWP Kioxia (рaнee Toshiba) сooбщилa o нaчaлe пoстaвoк нoвыx мoдулeй флeш-пaмяти Universal Flash Storage (UFS) стaндaртa 3.1 oбъёмoм 256 и 512 ГБ, прeднaзнaчeнныx к высoкoпрoизвoдитeльныx мобильных устройств.
Толщь модуля UFS 3.1 объёмом 256 ГБ составляет только 0,8 мм, а чипа объёмом 512 ГБ — 1,0 мм. Около этом они готовы предоставить до 30 % более высокую быстрота произвольного чтения и до 40 % больше высокую скорость произвольной дневник по сравнению с чипами предыдущего поколения.
В памяти используется флеш-мнема BiCS FLASH 3D. По словам компании, флеш-модули UFS ради счёт своей скорости и сильнее высокой плотности всё чаще используются возмещение памяти eMMC. Со ссылкой получи данные аналитической компании Forward Insights братия Kioxia указывает, что без (малого 70 % последних заказов чипов флеш-памяти про мобильных устройств приходятся как на стандарт UFS, и в дальнейшем каста цифра продолжит увеличиваться.
Производчик указывает, что в новых флеш-модулях UFS 3.1 объёмом 256 и 512 ГБ реализованы дополнительные инструменты, призванные подвысить производительность. Например, сообщается о технологии Host Performance Booster (HPB) Ver. 2.0, которая улучшает быстродействие в операциях произвольного чтения информации.
Категория: