1 февраля 2022 
adminGWP 
Кoмитeт JEDEC сooбщил o публикaции oбнoвлённoгo стaндaртa пaмяти с высoкoй прoпускнoй спoсoбнoстью (HBM) — стaли дoступны чистoвыe спeцификaции стaндaртa HBM3.
Глaвным измeнeниeм пo сравнению с HBM прошлого поколения из чего можно заключить увеличение скорости обмена ровно по каждому контакту шины данных с 3,2 Гбит/с после 6,4 Гбит/с. Для высокоёмких вычислений, включительно обработку графики, это довольно новым прорывом в будущее.
С учётом пополам возросшей скорости обмена в области одному контакту, общая проворство на один модуль памяти HBM3 (нате стек) будет достигать 819 Гбайт/с. Больше того, это не высшая точка возможностей HBM3. Современные решения сигнальных интерфейсов в полном объеме допускают выход за граница 1 Тбайт/с для памяти HBM3. Массовыми такие решения вероятно не ли станут, но и Samsung, и SK Hynix готовы выпущать память HBM3 со скоростью обмена ранее, чем предусмотрено стандартом JEDEC.
Численность каналов памяти также удвоено с 8 вплоть до 16, благодаря двум псевдоканалам сверху каждый канал. Более того, ради счёт организации виртуальных каналов точки соприкосновения число каналов работы с памятью может жить(-быть увеличено до 32.
На фактор публикации стандарта высота стеков HBM3 допускает стравливание памяти из 4, 8 и 12 слоёв. В будущем кончай возможно производство модулей HBM3 с 16 слоёв памяти в стеке. Получай каждый слой допускается хрусталь памяти ёмкостью от 8 впредь до 32 Гбит (1–4 ГБ). Тем самым минимальная амбараотстойник одного стека HBM3 составит 4 ГБ, а максимальная — 48 ГБ (в будущем 64 ГБ).
Рабочее нервотрепка памяти HBM3 снижено до 1,1 В, делать за скольких и уменьшено сигнальное напряжение для интерфейсе хоста (до 0,4 В). Сие означает, что энергоэффективность работы памяти HBM3 бросьте выше, чем у памяти HBM2 подле прочих выгодах, включая в банан раза возросшую скорость передачи данных.
Категория: